科林研發 LAM RESEARCH CORP

問分析師詢問2025年WFE的利多與利空因素，特別關注中國市場，包括實體清單新增、成熟節點晶圓廠整合（與華為、比迪亞相關）以及中國佔營收比例下降約10個百分點的影響。

答Tim Archer確認2025年WFE整體年增率將上升，但中國WFE將低於2024年，且中國佔Lam總營收比例將下降。Doug Bettinger補充，中國以外地區的先進邏輯/晶圓代工和DRAM（DDR5、HBM）需求強勁，成熟節點庫存將逐步消化。Tim Archer強調，中國的技術升級（如NAND、GAA）多發生在中國以外，因此中國佔比自然下降。

問分析師追問CSBG成長是否與Reliant相關，以及遞延收入大幅增加的原因。

答Doug Bettinger確認CSBG成長是Reliant與其他業務的結合，Reliant上季表現強勁，是遞延收入增加的部分原因。

問分析師詢問NAND利用率上升趨勢是否在9月季度持續，以及相較90天前，對2025年NAND WFE成長的信心是否依然強勁，是否已獲得訂單和預測可見性。

答Tim Archer表示NAND利用率持續強勁，但重點是技術升級需求，包括企業級SSD和AI應用驅動的高品質位元需求。即使WFE整體成長有限，技術升級支出將有利於Lam，因為Lam在升級中佔有高比例。

問分析師詢問今年HBM營收是否高於先前提到的$1 billion（10億美元），並要求量化明年及未來幾年的HBM和先進封裝成長軌跡，指出HBM位元供應僅佔6-7%，但將佔DRAM晶圓產能20-25%，年增60-70%。

答Tim Archer未提供新里程碑數字，但表示先進封裝業務自上次電話會議以來持續增強，超出預期。他強調先進封裝是實現系統級性能的關鍵技術，短期內不會放緩，並計劃在1月電話會議提供更多細節。

問分析師詢問鉬在3D NAND的採用，以及對2025年及以後業務成長的影響，是否為淨收益機會，或因為Lam在鎢領域已強勢而產生抵消。

答Tim Archer表示，儘管Lam在鎢領域已強勢，鉬過渡仍是淨收益，因為技術升級和新增高附加值技術帶來額外好處，並有助於解決字線電阻問題，推動行業前進多個節點。

問分析師指出同業因競爭動態下調2025年展望，詢問Lam對領先晶圓代工邏輯的淨影響是否與90天前相同，或是否有變化。

答Tim Archer表示，過去90天展望未變，因為業務驅動更多來自技術轉折而非產量。GAA節點為Lam帶來新機會，如選擇性蝕刻和ALD的滲透，且2025年將看到背面供電和先進封裝等蝕刻/沉積密集的轉折，有利於Lam的產品組合。

問分析師詢問中國在12月季度下降約$250 million（2.5億美元）後，未來幾季是否維持、增長或下降，並指出Tim Archer上次電話會議曾暗示2025年中國可能不錯，但觀點似乎改變，詢問什麼變了。

答Doug Bettinger強調中國不會消失，但佔總營收比例將下降，因為中國WFE降低，同時其他市場增強。Tim Archer表示，一直預期中國佔比會正常化，因為NAND和先進封裝等強勢市場多在中國以外，過去幾個月展望並未劇烈變化。

問分析師詢問9月季度毛利率超預期的驅動因素，以及12月季度毛利率指引47%是否為基線，並詢問2025年毛利率能否與2024年持平。

答Doug Bettinger表示，短期毛利率受客戶組合、產品組合、營運效率等因素影響。中國佔比下降是逆風，但公司透過營運效率措施（如亞洲工廠佈局）改善成本結構，毛利率已從中國佔比上升前的約46%提升至47%。他未提供具體指引，但對營運面改善有信心。

問分析師詢問中國放緩是否會導致CSBG（尤其是Reliant）下降，以及中國放緩對CSBG收入強度的影響。

答Doug Bettinger表示，Reliant與特殊/落後節點投資相關，中國WFE下降將對Reliant造成逆風，但其他CSBG元件（備件、服務、升級）與全球產能相關。Tim Archer補充，設備智能服務和協作機器人活動將成為CSBG收入成長來源。

問分析師詢問公司是否已處於資助所需項目的階段，以及如何思考2025年營運槓桿。

答Doug Bettinger表示，公司已資助幾乎所有計劃，甚至可能更多，但營收表現強勁，12月季度指引中點已交付超過1個百分點的營運利潤率槓桿。他對明年繼續交付槓桿持樂觀態度，取決於WFE和營收成長。

問分析師詢問2025年Lam超越WFE的驅動因素，是否仍以NAND為主，並提及Cryo蝕刻的噪音可能影響2026年而非2025年。

答Tim Archer表示，NAND升級（如Cryo 3.0技術）是重要驅動，Lam在升級中捕獲率高。Doug Bettinger補充，先進封裝、背面供電、GAA、乾式光阻等領域也將貢獻超越表現。Tim Archer強調，蝕刻和沉積強度因三維架構（如背面供電、2.5D/3D封裝）而增加，Lam將受益。

問分析師詢問庫存管理是否因明年上升週期而提前建立，或是否因庫存管理更高效（如即時生產）而改變。

答Doug Bettinger表示，庫存中很大部分與NAND相關，需等待NAND業務回升才能降低；同時其他業務（如12月指引$4.3 billion）需要準備組件，因此庫存管理需平衡。

問分析師詢問按市場或產品區隔，2025年哪裡有最佳能見度，哪裡仍有不確定性。

答Tim Archer表示，NAND因長期下行週期，WFE將更高；領先邏輯持續強勁；先進封裝在過去90天增強，預期繼續走高；中國將下降。整體而言，對Lam關鍵的領域多數預期走高。

問分析師詢問在技術轉折（如背面供電、GAA）中，Lam的市場份額如何變化，以及超越WFE的隱含份額假設。

答Tim Archer表示，GAA等新節點讓Lam進入先前未競爭的市場（如選擇性蝕刻、ALD），這些是新市場和份額增長；而競爭對手可能更多是替代收入。先進封裝和背面供電（銅電鍍）也帶來份額增長，因此Lam的淨頭寸增長快於其他領域。

問分析師詢問若中國佔比降至25%，其他毛利率驅動因素是否足以抵銷負面組合影響，是否應將毛利率視為已觸底。

答Doug Bettinger表示，公司已透過調整佈局（接近客戶、降低成本結構、縮短運輸距離）改善成本，但客戶組合是逆風。他未提供具體數字，但對營運面改善有信心，將在下次電話會議提供更多細節。

問分析師詢問從美元基礎，產能驅動市場或技術轉型市場哪個對Lam更好，質疑管理層的無差異化說法。

答Tim Archer表示，技術轉型市場對Lam更好，因為Lam在升級中佔有高比例。Doug Bettinger補充，在轉型/升級年份，Lam的支出佔比更高，但行業總支出較少，因此相對表現更佳，這大致是明年情況。

問分析師詢問中國WFE下降幅度是否小於同業（預期下降30%），並探討微影與蝕刻/沉積的動態差異或Reliant業務影響。

答Doug Bettinger表示，難以直接比較，因為不同工具類型的交期和出貨速度不同，且同業在中國的成長幅度可能不同。Tim Archer補充，比較困難，沒有更多可說。

問分析師指出韓國大型記憶體製造商在1C DRAM 6世代製程採用乾式光阻，詢問採用曲線是否有變化，是否與High NA（高數值孔徑）相關。

答Tim Archer表示，乾式光阻不一定與High NA（高數值孔徑）緊密相關，雖然High NA（高數值孔徑）時可能別無選擇。乾式製程（底層、光阻、乾式顯影）具有經濟效益（縮短曝光時間）、圖案保真度和缺陷控制優勢，客戶會因看到足夠好處而採用，不一定限於特定節點。

問分析師詢問公司對商務部出口管制的看法，是否有對話或大致了解，還是與外界一樣猜測。

答Tim Archer表示，公司的看法基於最佳理解和估計，但未明確說明是否有內部資訊，僅表示這是目前對中國WFE的觀點。

問分析師詢問若中國降至30%，中國以外是否實現雙位數成長，以及信心來源。

答Doug Bettinger表示，指引基於與每季相同的流程，彙整客戶期望、訂單和各地區/客戶/晶圓廠的預測。他強調，因中國討論較多，特別提供了中國數字，但整體指引是透過標準流程得出。

問分析師詢問12月季度中國下降約$250 million（2.5億美元）的組成，是否主要來自CSBG，並詢問非揮發性記憶體下降是否為較小逆風。

答Doug Bettinger表示，CSBG下季可能下降，Reliant與特殊節點相關，與中國有一定相關性，但其他因素（升級週期、利用率）也影響。他未具體說明$250 million（2.5億美元）的組成。

問分析師詢問NAND升級的時機，是否在2025年內，或是否為2025年故事。

答Tim Archer表示，主要從2025年角度談論，未提供年內具體時機，但將在明年初有更好看法時提供更多資訊。

問分析師詢問DRAM趨勢，以及過去90天是否有變化。

答Doug Bettinger表示，過去90天DRAM展望未變，產品週期（DDR4到DDR5）和HBM需求將推動明年設備需求成長。

問分析師詢問若中國在12月季度佔30%，且其他市場成長，2025年全年中國佔比是否可能低於30%。

答Doug Bettinger表示，中國佔比有可能降至30%以下，但尚未對2025年給出數字指引，將在下一季電話會議提供。