科林研發 LAM RESEARCH CORP

問分析師指出若將 9 月與 12 月 CSBG 營收持平，則全年年增約 8%，想確認管理層對 CSBG 在指引中的假設。

答Doug Bettinger 表示不會拆解指引中各組成部分，但澄清公司現在預期 CSBG 全年將「略微成長」（grow a little bit），6 月季度特別強勁，之後可能上升、下降或持平，但不提供個別項目預測。

問分析師指出投資人對 DRAM WFE 的興奮度高於 NAND，但 Lam 在 DRAM 的槓桿似乎不高，想了解公司在 DRAM 的投資方向與市占率成長機會，尤其是先進封裝以外的部分。

答Tim Archer 表示 Lam 是導體蝕刻全球領導者，新工具 Direct Drive 針對未來 DRAM 超小型結構，具備巨大機會；HBM 方面，公司在 TSV 蝕刻與電鍍的強勢地位不變。由於每片晶圓位元數減少，未來需處理更多 DRAM 晶圓，將轉化為更多設備需求。

問分析師詢問中國市場在 2024 下半年與 2025 年的展望，以及 12 月季度毛利率相較 9 月 47% 的逆風幅度。

答Doug Bettinger 表示中國市場不會消失，但支出可能不穩定；2025 年中國將是「相當穩健的一年」，但現在量化還太早。毛利率方面，不提供具體數字，但暗示 12 月可能因客戶組合有略微增加的逆風。

問分析師詢問 6F2 到 4F2 DRAM 過渡是否重大，以及能否量化 Lam 在 4F2 的機會。

答Tim Archer 表示今天尚未準備好量化，但 4F2 架構對蝕刻有額外要求，Lam 非常適合；雖然 3D NAND 的蝕刻強度躍升更大，但公司目標是在每個技術節點增加 SAM 與市占率。

問分析師觀察到 DRAM 營收自 2023 年 12 月高峰後逐季下滑，猜測與成熟節點有關，想確認是否已觸底，以及 HBM 支出何時會帶動強勁回升。

答Tim Archer 表示成熟 DRAM 支出在去年下半年至今年初過度集中，之後出現調整；HBM 仍在爬坡階段，2025 年將成為 DRAM 晶圓更大驅動力。由於晶片尺寸與堆疊複雜性，DRAM 設備需求將持續成長至 2025 年以後。

問分析師詢問 CSBG 季增 22% 的可持續性，以及這是否預示 WFE 增加或新技術遷移。

答Tim Archer 表示 CSBG 包含 Reliant、備品、升級與服務，各組成部分表現不同；本季強勁來自 Reliant 與備品，未來升級業務將更強勁，備品因安裝基礎擴大持續成長。長期 CSBG 每年都會成長，明年可能更偏向升級業務。

問分析師詢問在中國與 Reliant 組合正常化後，2025 年毛利率的基線水準，以及馬來西亞工廠與升級業務對毛利率的增值。

答Doug Bettinger 表示之前以 6 月季度為基線，但中國組合增強後基線提高；9 月因客戶組合下調，12 月可能再略微逆風。明年客戶組合還不確定，但亞洲工廠產量提升將對毛利率有利。

問分析師詢問 7,500 個高縱橫比蝕刻腔體的安裝基礎，在升級週期中能為 NAND WFE 增加多少成長，是否有百分比可參考。

答Tim Archer 表示尚未量化，但安裝基礎在升級週期是強勁收入驅動力；明年升級開始後，Lam 對 WFE 支出的捕獲率顯著更高，因為蝕刻與沉積佔升級很大部分。

問分析師詢問若明年 NAND 業務主要由升級驅動，是否可能純升級就讓 NAND WFE 同比翻倍，還是需要產能增加；目前是否看到產能增加跡象。

答Tim Archer 表示不會對明年 NAND WFE 做出指引，但若主要是升級支出，Lam 有信心在 NAND 領域超越 WFE 成長；升級是客戶推進技術與降低成本的高效方式，將是 NAND 投資的下個階段。

問分析師詢問目前 NAND 展望與 90 天前相比是變好、變差還是持平。

答Doug Bettinger 表示 NAND 展望可能稍微好一點，看到利用率略有上升，但沒有顯著差異。

問分析師詢問 CSBG 強勁是否代表成熟與特殊製程利用率也開始改善，或至少穩定。

答Doug Bettinger 表示成熟節點仍相當疲軟，類比、工業、汽車領域庫存仍高；利用率改善主要來自記憶體晶圓廠。

問分析師詢問先前 10 億美元先進封裝與 HBM 收入目標是否上調，以及先進封裝系統是否產能受限、交期是否拉長。

答Tim Archer 表示數字已上調但不會重新量化，需求非常強勁；全球製造供應鏈擴張提供更多彈性，能比 COVID 期間更好應對擴張，雖有短缺但回應良好。

問分析師比較五大設備商 2023 年中國銷售成長，Lam 下滑 11%，詢問是否因 NAND 專案不活躍或競爭因素。

答Doug Bettinger 表示 2022 年中國 NAND 客戶在法規出台後受限制，2023 年消失，導致年增比較失真；2023 至 2024 的強勁來自不同組合，中國國內幾乎沒有 NAND。

問分析師詢問低溫技術改進是否會鞏固明年或後年的市占率。

答Tim Archer 表示新技術通常與客戶合作數年，Lam Cryo 3.0 是為 400 層以上 NAND 設計，可能提前導入；公司也規劃路徑朝向 1,000 層。

問分析師詢問第三代低溫工具與最接近競爭對手有何根本不同或更好。

答Tim Archer 表示最大差異在晶圓結果：10 微米深孔、頂到底錐度小於 10 奈米、蝕刻速率 2.5 倍；基於新表面化學與硬體配置，Vantex 系統提供業界最高離子能量。

問分析師詢問先前 CSBG 全年持平正負的看法是否仍有效，或應預期更高成長率。

答Doug Bettinger 澄清現在預期 2024 年 CSBG 將「溫和成長」（modestly grow），因 6 月 Reliant 特別強勁、備品改善，且記憶體客戶利用率趨勢支持備品持續成長，並樂觀看到升級支出。

問分析師詢問媒體報導出口管制（外國直接產品規則、實體清單）是否導致中國客戶提前或延後訂單。

答Tim Archer 表示無法猜測未來，但公司持續與美國政府討論；未觀察到客戶行為明顯改變，公司以預付款等方式確認新客戶可行性，其餘按正常方式服務。

問分析師詢問中國明年「穩健的一年」具體含義，以及 6 月季度是否為清理性質或趨勢好轉。

答Doug Bettinger 表示與上次電話會議看法一致，今年上半年權重較高，6 月中國僅略強一點；明年中國支出將是穩健的一年，但不會消失，現在量化還太早。

問分析師詢問在整體成長預測下，是否願意對 NAND 業務提出看法。

答Doug Bettinger 表示明年 NAND 支出必須高於今年，因已兩年低支出；預期看到很多升級，但幅度還不確定，若不比今年強會很震驚。

問分析師詢問排除受限客戶後，僅靠產能升級到更高層數是否能支持 NAND 營收回到先前峰值。

答Doug Bettinger 表示升級支出低於產能增加，但錢包佔有率更高；失去中國大 NAND 客戶難取代，明年會比今年強但未準備好比較峰值。Tim Archer 補充長期 NAND 支出上升，且 Lam 產品組合擴張（PECVD 純碳間隙填充等）將帶動成長。

問分析師詢問全球成熟節點支出今年大致持平的分解，非中國部分是否疲弱。

答Doug Bettinger 表示中國目前不錯，中國以外相當疲軟；庫存仍高，投資需待庫存調整後才會發生。

問分析師詢問明年庫存展望，尤其是規劃強勁 WFE 年時，庫存是否會消耗或堆積。

答Doug Bettinger 表示資產負債表上大量庫存支援 NAND，明年 NAND 更強勁將消耗這些庫存；其他領域成長需採購新庫存，目前不提供庫存預測，但希望週轉率回到歷史水準。

問分析師詢問 2024 年 10 億美元 gate-all-around 營收目標是否仍有效，以及從試產到量產的爬坡軌跡。

答Tim Archer 表示省略 gate-all-around 沒有特別訊息；本季度在選擇性蝕刻、ALD 薄膜、背面供電 ALD 氧化物獲得額外訂單，10 億美元預測明年將往上提升，因需求上升與產品組合擴張。