科林研發 LAM RESEARCH CORP

問競爭對手Tokyo Electron一年前推出低溫蝕刻產品，而Lam在三年前已有。客戶討論用低溫蝕刻做430層NAND，想了解高縱橫比蝕刻的市佔率動態。

答Tim Archer表示，低溫蝕刻安裝基礎已接近1,000個腔體，已在高量產中。開發階段客戶會探索不同選項，但這些製程複雜，Lam持續利用客戶合作學習，專注技術延伸與製造準備度，因此能守住客戶的最終決策。

問6月季度毛利率因客戶組合而緩和，是否主要因中國？下半年毛利率與營運費用如何思考？

答Doug Bettinger表示，毛利率較好部分來自較小客戶，中國有較多小客戶，因批量購買定價，他們付費較高，但這是客戶規模因素而非地理因素。中國地區會隨年度進程調節。公司計劃今年增加研發投資，不受營收影響，3月季度研發佔總支出71%是最高水準。

問中國業務今年仍會年增，但若更多實體被加入實體清單，這些評論是否反映潛在新增？還是假設現狀維持？

答Tim Archer表示，無法預測未知的美國對中國貿易政策變化，給出的是對中國業務的最佳看法，並認識到可能有無法預見的變化。公司有強大的政府事務團隊，過去幾年與美國政府合作應對出口管制政策有良好記錄。

問備品業務強勁而Reliant業務疲弱，這種情況對CSBG業務未來意味著什麼？

答Doug Bettinger表示，產業利用率開始好轉但仍在早期，備品業務已顯現改善；Reliant因中國以外成熟節點投資疲軟而下滑。兩股力量相互抵消，CSBG今年可能與去年大致持平。Tim Archer補充，進入2025年，NAND安裝基礎中很大部分尚未轉移到最新技術節點，升級活動將回歸，有利CSBG業務。

問公司先前提到先進封裝每年約10億美元營收機會，今年是否已達10億美元以上？未來幾年營收機會的新看法？

答Tim Archer確認今年先進封裝出貨將超過10億美元（$1 billion），是重要里程碑。需求成長強勁，公司在晶圓代工邏輯先進封裝和HBM封裝都有強勢地位，並投資面板級封裝以掌握長期結構性驅動力。

問馬來西亞工廠開始裝載時，增量營收帶來的增量毛利率效益如何思考？

答Doug Bettinger表示，不要跑在2020年發布的財務模型之前，那仍是正確思考方式。目前客戶組合有利，但不預期持續。馬來西亞的好處是回到該財務模型毛利率的方式，可能更好，但仍在未來，會在增量產量增加時顯現。Tim Archer補充，公司對實體產能、訓練勞動力和供應鏈韌性感到滿意。

問中國本季是否比預期好？下半年放緩是否特定部門（DRAM或邏輯）？

答Doug Bettinger表示，中國本季大致符合預期。下半年放緩沒有特定部門細節，中國客戶涵蓋DRAM、晶圓代工、邏輯等廣泛領域，整體偏重上半年，會有所調節。

問客戶獲得政府補貼（如CHIPS法案）後，對Lam業務的影響與訂單時間點？

答Tim Archer表示，美國、日本等地有類似CHIPS法案計畫，從設備端看是'25、'26、'27年時間框架，尤其短交期工具。大部分資金針對領先節點，Lam在領先晶圓代工邏輯、下一代DRAM和HBM有投資，預期在SAM和市佔率表現更好。

問WFE展望上調約10億美元，主要因微影設備，是否仍預期WFE低到中個位數成長？四大驅動力（先進封裝、HBM、環繞式閘極等）的成長潛力與相對表現？

答Doug Bettinger表示，WFE變化絕大部分來自低估運往中國的出貨，因非可服務市場。DRAM可能稍強，尾段蝕刻晶圓代工邏輯稍軟。考慮技術轉型組合，表現應比去年逐步更好。

問若中國持續強勁，正常化毛利率會是多少？

答Doug Bettinger表示，46%是完成馬來西亞事項後、中國小客戶出現前的毛利率水準，高於此水準主要是客戶組合。若組合判斷錯誤，毛利率會落在46%到48%以上範圍，取決於組合。

問NAND沒有DRAM的3倍每晶圓位元抵消效應，明年下半年NAND改善軌跡如何？

答Doug Bettinger表示，還不會給2025年預測，但會更好。Tim Archer補充，NAND支出過去12至18個月非常疲弱，正處於復甦早期。客戶出貨位元約90%在領先節點，但安裝基礎中很大部分將推進到下一代節點，升級是最有效方式。NAND WFE在2025年上升，因升級為主，Lam對每美元WFE的捕獲率高於新建廠。

問中國42%銷售中跨國企業佔比回升，是什麼推動？客戶是否不擔心限制或只是升級舊技術？

答Doug Bettinger表示，這是對客戶相對於現有產能所見需求的反應。中國絕大多數支出仍來自中國本土客戶，跨國企業回升只是觀察到的現象。

問從鎢轉換到鉬在未來幾年的深度強度意義與對業務的影響？

答Tim Archer表示，材料改變需要新系統，是Lam提供技術的機會。轉向鉬有顯著元件效益，且部分在於實現堆疊高度降低，可增加層數並限制堆疊高度，使蝕刻和沉積更具生產力。這是重要導入轉折點，Lam處於有利位置。

問HBM業務成長超過3倍，支持什麼樣的HBM位元成長或市場成長？今年結束與2025年HBM供需看法？

答Doug Bettinger表示，HBM佔整體位元需求約0.22%，雖小但成長迅速，需要對SABRE 3D和深矽蝕刻工具進行額外投資。HBM對AI實現和GPU資料供給將持續重要。

問有一個客戶被歸類為NAND但其他人可能歸類為DRAM，這是怎麼回事？是否意味中國有更多NAND產能？

答Doug Bettinger表示，該裝置實際上是非揮發性元件，因此歸入非揮發性記憶體，而非揮發性記憶體不僅是NAND。這不是巨大數字但夠大，客戶是特殊DRAM中的一個客戶，不會透露名稱。

問成熟節點利用率較低時，Reliant業務是否會回歸翻新工具業務？對獲利能力的影響？

答Tim Archer表示，不會回到客戶處置設備而公司翻新的模式，Reliant仍主要是新工具、成熟節點業務，只是隨需求波動。

問升級驅動的週期WFE絕對金額是否比新建廠低很多？如何思考這兩個變數對2025年NAND成長的影響？

答Tim Archer表示，升級對客戶有吸引力是因為總WFE支出較低，但Lam因更高捕獲率，升級與新建廠每增加一個位元所帶來的營收差異不大。WFE下降但Lam幾乎獲得相同營收。

問投影片第5頁似乎顯示中國DRAM持續投資而晶圓代工邏輯疲弱，是否如此？

答Doug Bettinger表示，中國DRAM只有一個客戶，需小心談論。中國全年會波動，不會維持42%，每個部門都會波動。因技術問題無法確認投影片內容。

問備品營收雙位數成長有多重要？原本預期什麼？對NAND復甦信心增加多少？

答Tim Archer澄清是雙位數百分比成長而非倍增。過去幾年備品營收應年增，但低迷期間利用率下滑嚴重導致備品營收下降。備品增加是終端市場改善的第一個跡象，確認客戶利用率開始改善，但與WFE無直接關聯，設備支出可能仍是2025年事件。

問CSBG是否年對年持平？若為日曆年度，是否意味下半年有mid-teens成長？

答Doug Bettinger確認CSBG今年（'24對'23）大致持平，這不是新揭露，上季已說過。

問DRAM整體產能問題與HBM可互換性，今年進展的預期？

答Tim Archer表示，HBM需要額外工具（電鍍和Syndion矽蝕刻），這些工具加在現有DRAM產能之上。從傳統DRAM轉向HBM時，晶片尺寸更大，需要更多設備。這些是進入HBM DRAM時推動額外支出成長的關鍵驅動因素。

問今年GAA營收$1 billion（10億美元）代表什麼？整體GAA機會的階段？

答Tim Archer表示，真的才剛開始進入GAA，$1 billion（10億美元）出貨涵蓋所有幫助實現更小技術節點GAA的產品類型。每個技術節點蝕刻和深度強度成長，SAM機會擴展，GAA需要新工具如選擇性蝕刻和ALD，這些是成長領域。

問AI伺服器滲透率每增1%是否推動WFE增加$1 billion到$1.5 billion（10億至15億美元）？是否已在訂單積壓中顯現？

答Doug Bettinger表示，不會談論訂單積壓。每1% AI伺服器相對於企業級伺服器，因8x DRAM、更大邏輯晶片、GPU和三倍NAND，增加$1 billion到$1.5 billion（10億至15億美元）WFE，這仍是看法。若產能利用率不足，支出會較少，但那是暫時情況。

問2024日曆年GAA出貨$1 billion（10億美元）中，下半年比重多少？試產與量產比例？

答Tim Archer表示，不會提供確切出貨時間細節，因為這更多是客戶在這些節點上的擴張。