AXCELIS TECHNOLOGIES INC
+4.72 (+4.51%)法說會 AXCELIS TECHNOLOGIES INC · 近 16 次財報公布 · 3 場有 Q&A 整理
財報日的股價反應、之後的漂移、券商怎麼改,以及分析師在 Q&A 裡問什麼。只整理已發生的事實,不預測下一場。
財報日怎麼動柱 = 反應日漲跌 · 白點 = 開盤跳空 · 黃虛線 = 平均幅度 · 白框 = 最近一次
白點離柱頂很遠 = 開盤跳完之後盤中又走了一段(續強或開高走低)。柱子長期都比黃虛線長,代表這檔財報日的波動比平常大。
反應完還會漂嗎相對 SPY 的累積超額報酬 · 反應日前一天 = 0 · 細線 = 每一場 · 白線 = 最近一場 · 黃線 = 平均
黃線在反應日之後繼續往同一個方向走 = 市場消化得慢(財報後漂移);往回收 = 反應過度。細線散得很開,代表平均沒有代表性。
賣方在法說會後怎麼改公布後 6 天內 · 上 = 調升目標價(深紅)與升評(淺紅)· 下 = 調降目標價與降評 · 藍線 = 目標價中位數變化(右軸)· 有公開報導連結的動作約從 2025 年下半年起才完整
只算有公開報導的券商動作,同一家只算最後一筆;目標價為各券商發布,非本站觀點。股價大漲但賣方沒有跟著調升,或股價下跌但目標價照樣往上調,這兩種背離最值得看。
分析師在問什麼近 3 場 · 主題 × 場次的問題數
| Q&A 主題 | FY25Q426/02 | FY26Q126/05 | FY26Q226/08 | 合計 |
|---|---|---|---|---|
| 財測與展望 | 7 | 5 | 3 | 15 |
| 需求與訂單 | 8 | 3 | 2 | 13 |
| 供應鏈與產能 | 5 | 3 | 5 | 13 |
| AI 與資料中心 | · | 3 | 3 | 6 |
| 中國與出口管制 | 3 | · | · | 3 |
| 毛利率與成本 | 1 | · | 1 | 2 |
| 資本支出與投資 | 2 | · | · | 2 |
| 總經與消費者 | 1 | · | 1 | 2 |
每一格 = 那一場法說會裡,分析師問題碰到這個主題的次數(一個問題可以同時算進好幾個主題)。顏色越深問得越多;從左到右是從舊到新,看得出分析師的注意力往哪裡移。主題是依問題文字的關鍵字歸類,不是人工標註。
誰在問近 3 場上台提問的券商 · 與他們目前的評等
| 券商 | 分析師 | 提問場次 | 最近提問 | 評等 | 目標價 | 評等日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Needham & Company | Yu Shi、Denis Pyatchanin | 3 | 2026-08-13 | – | – | – |
| William Blair | Jonathan Dorsheimer、Jed Dorsheimer | 3 | 2026-08-13 | – | – | – |
| B. Riley Securities | Craig Ellis、Craig Andrew Ellis | 2 | 2026-08-13 | – | – | – |
| Bank of America Securities | Duksan Jang | 2 | 2026-08-13 | – | – | – |
| Steelhead Securities | David Duley | 2 | 2026-05-07 | – | – | – |
| Craig-Hallum | Christian David Schwab | 1 | 2026-02-17 | – | – | – |
| Charter Equity Research | Jack Egan | 1 | 2026-02-17 | – | – | – |
目標價為各券商發布,非本站觀點。提問場次 = 近 8 場有 Q&A 整理的法說會裡,這家券商的分析師上台提問的場數;常問的通常是主要覆蓋券商。評等與目標價只列有公開報導的那一筆,日期連到原報導。
法說會 Q&A 分析師問題與公司回答的中文重點
- 1氮化鎵與磷化銦的植入機會AI 與資料中心供應鏈與產能Jed Dorsheimer (William Blair)
問氮化鎵和磷化銦大多屬於沉積製程，但有一些與封裝等相關的植入，想了解這方面的機會，特別是在矽光子學、資料中心、磷化銦及功率氮化鎵方面。
答Russell Low 表示氮化鎵中有幾個植入步驟，但不重大。在資料中心和光傳輸方面，公司不參與雷射製造，但調變單元是矽製單元，需要隔離植入，因此矽光子學是一個應用，但不是大量使用離子植入。合併後主要會是 VCO 產品線，因為 VCO 具備 MOCVD 和薄膜能力。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中強調與 VCO 的待定合併，並表示不會回答與交易相關的問題。
- 2一般成熟製程市場狀況與展望財測與展望Denis Pyatchanin (Needham and Company)
問一般成熟製程是否變得更弱？雖然終端市場如 IDM 業務在全球回升，但公司似乎未受惠，想了解具體情況。
答David Ryzhik 表示終端市場正在回升，汽車穩定、工業復甦、AI 開始帶動一般成熟製程。Q1 一般成熟製程訂單稍微軟一點，但利用率上升是關鍵數據點。仍預期 2026 年一般成熟製程年減，但對 2027 年的感覺比三個月前好一些。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中指出，一般成熟製程的訂單被記憶體和碳化矽需求增加所抵消，且 2026 年營收預期相對持平。
- 3訂單出貨比與未來訂單展望需求與訂單財測與展望Denis Pyatchanin (Needham and Company)
問本季訂單出貨比約 1.0，高於前次的 0.8，想了解下季度訂單展望，是否會維持或更高。
答David Ryzhik 表示不會提供每季訂單指引，因為訂單可能波動。但 Q1 與 Q4 相對一致，而 Q4 是從 2025 年早些時候大幅躍升，這是好跡象，但不會按季度預測訂單。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中指出，第一季訂單量與前一季大致持平，為 $128 million（1.28億美元），連續第二季訂單動能增強。
- 4碳化矽在資料中心及其他市場的採用AI 與資料中心David Duley (Steelhead Securities)
問碳化矽在資料中心的採用情況，是否更接近機櫃端，或是否有其他應用，例如降壓應用。
答Russell Low 表示電動車是碳化矽的重要應用，800 伏特子系統、牽引逆變器、DC-to-DC 降壓、車載充電、AC 系統壓縮機都採用碳化矽。消費端如 HVAC、冰箱、洗衣機也採用。資料中心方面，機櫃轉向 800 伏特時，氮化鎵在機櫃內是甜蜜點，但從電網（13 kilovolts 或更高）降壓到機櫃時，碳化矽是良好應用。David Ryzhik 補充，相對於電動車，資料中心仍是低量，但客戶對話增加，應用可能隨時間成長，規模還不確定。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中提到，客戶越來越關注 AI 資料中心的新興機會，因為化合物半導體在高效功率轉換方面提供獨特優勢。
- 5資料中心 800 伏特推廣對碳化矽植入業務的影響時點AI 與資料中心財測與展望David Duley (Steelhead Securities)
問資料中心 800 伏特推廣約今年年中開始、明年加速，這是否會是碳化矽植入業務更顯著回升的時點？
答David Ryzhik 表示相對於電動車，這仍是低量，但客戶開始更多談論，公司正在關注。這可能是一個隨時間成長的應用，無論是變壓器還是資料中心電源架構的其他部分，但規模還不確定。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中提到，客戶越來越關注 AI 資料中心的新興機會，因為化合物半導體在高效功率轉換方面提供獨特優勢。
- 62026 全年財測是否調高需求與訂單財測與展望供應鏈與產能美銀證券分析師
問記憶體市場情緒和新晶圓啟動明顯比 90 天前好，且一般成熟製程和功率業務訂單表現不錯，為何不調高全年財測？
答David Ryzhik 表示對全年持平感到安心。記憶體預期強勁，但會被功率和一般成熟製程的消化期抵消。Q1 訂單表現令人鼓舞，但一個季度不代表趨勢，部分動能可能延續到 2027 年。根據積壓訂單和排定出貨，這些市場今年仍會下滑，整體約持平，但為 2027 年奠定良好基礎。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中表示，2026 年營收預期相對持平（年對年），但多個市場改善趨勢將為 2027 年恢復成長奠定基礎。
- 7記憶體全年軌跡與 NAND 活動財測與展望美銀證券分析師
問記憶體全年軌跡如何？季度可能不穩定，但今年開局強勁，且 NAND 活動開始回升，想了解全年記憶體展望。
答David Ryzhik 表示季度之間可能波動，取決於出貨時間和晶圓廠可用性。Q2 記憶體會比前一季稍微疲軟，但全年預期強勁成長，且全部來自 DRAM。2026 年展望未包含太多 NAND，因為 NAND 製造商專注於垂直堆疊，不需要太多額外植入，但一旦產業增加晶圓，就會看到回升。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中表示，記憶體市場營收和訂單量在第一季顯著增加，由 DRAM 和高頻寬記憶體需求驅動，並預期 2026 全年記憶體強勁成長，動能延續至 2027 年。
- 8記憶體組合轉變（如 LPDDR）對需求信號的影響需求與訂單供應鏈與產能美銀證券分析師
問產業是否從 HBM 轉向其他類型記憶體（如 LPDDR），這是否會因晶圓消耗比較低而對公司產生正面趨勢？
答David Ryzhik 表示未看到任何因記憶體組合轉變而產生的重大變化，客戶仍努力擴充 HBM 產能和用於 AI 的 DRAM。Russell Low 補充，HBM 本質上是 DRAM 堆疊，植入強度在 DRAM 和 HBM 之間變化不大；NAND 是高能量、高電流、中電流的略微不同組合，但節點到節點植入強度相對穩定。
開場陳述裡相關的內容
管理層在開場陳述中表示，記憶體市場營收和訂單量在第一季顯著增加，由 DRAM 和高頻寬記憶體需求驅動。
歷次財報公布 近 16 次 · 新 → 舊
| 會計季 | 公布日 | 盤前 / 盤後 | 反應日漲跌 | 開盤跳空 | 相對 SPY | 反應後 5 日 | 反應後 20 日 | 賣方調升 / 調降 | 目標價中位數變化 | 文件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 26Q2 | 2026-08-06 | 盤前 | -0.0% | +0.0% | +0.2% | +3.4% | -19.8% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿Q&A 8 |
| 26Q1 | 2026-05-07 | 盤前 | -7.2% | -1.4% | -6.9% | -0.4% | -8.1% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿Q&A 8 |
| 25Q4 | 2026-02-17 | 盤後 | -16.7% | -19.5% | -17.2% | -3.4% | +8.2% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿Q&A 13 |
| 25Q3 | 2025-11-04 | 盤前 | -2.7% | +8.1% | -1.5% | +5.1% | +8.0% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 25Q2 | 2025-08-05 | 盤前 | +10.1% | +12.9% | +10.6% | +1.9% | -1.6% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 25Q1 | 2025-05-06 | 盤前 | +5.0% | +8.0% | +5.8% | +9.9% | +5.8% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 24Q4 | 2025-02-10 | 盤後 | -12.3% | -8.5% | -12.3% | +6.0% | +7.9% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 24Q3 | 2024-11-06 | 盤前 | +2.9% | +2.9% | +0.4% | -10.4% | -19.1% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿財報新聞稿 |
| 24Q2 | 2024-07-31 | 盤前 | +7.7% | +4.2% | +6.0% | -12.9% | -15.1% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 24Q1 | 2024-05-01 | 盤前 | -1.8% | -1.9% | -1.4% | +6.2% | +7.3% | 0 / 0 | – | 財報新聞稿 |
| 23Q4 | 2024-02-07 | 盤後 | -7.0% | -10.7% | -7.1% | -3.2% | -11.1% | 0 / 0 | – | |
| 23Q3 | 2023-11-01 | 盤後 | +0.4% | +5.1% | -1.5% | -3.4% | -8.3% | 0 / 0 | – | |
| 23Q2 | 2023-08-02 | 盤前 | -3.7% | -1.5% | -2.3% | -8.1% | -1.3% | 0 / 0 | – | |
| 23Q1 | 2023-05-03 | 盤前 | +0.7% | +0.3% | +1.4% | +1.8% | +28.8% | 0 / 0 | – | |
| 22Q4 | 2023-02-08 | 盤前 | -1.0% | -0.1% | +0.1% | +8.8% | +14.9% | 0 / 0 | – | |
| 22Q3 | 2022-11-02 | 盤前 | -2.4% | +0.1% | +0.1% | +21.9% | +29.4% | 0 / 0 | – |
公布日 = 8-K Item 2.02 的申報日。盤前 / 盤後是用「當天與隔天哪一天的開盤跳空比較大」推估的,反應日漲跌 = 反應日收盤 ÷ 前一日收盤(已還原配息)。反應後 N 日 = 反應日收盤之後 N 個交易日的報酬減掉同期 SPY,看的是有沒有繼續漂。賣方欄是公布後 6 天內有公開報導的券商動作(同一家只算最後一筆);目標價為各券商發布,非本站觀點。
股價為收盤價、延遲至前一交易日。以上為公開資料的整理,不構成投資建議。